Проблема не только в энерго потреблении, проблема в скорости срабатывания п-н переходов в полупроводниковых структурах. Снижение энерго потреблении и нагрева это лиш следствие внедрения новых технологий грубо говроя уменьшающих площадб п-н перехода. В закрытом состоянии п-н переход имеет электрическую ёмкость, сопротивление которой в обратной зависимости от частоты ... в один прекрасный момент п-н переход будет в закрытом состаянии иметь такоеже сопротивление как и в открытом если наращивать частоту. По этому снижают площадь п-н переходов. Ничего координально новго они не придумали ещё с о времён первых димов, ддр даже называютса DIMM DDR.
__________________
Господи!!!! вынь штопор из моей задницы и вставь его в голову - пусть там будет хоть что-то извилистое!!!
Последний раз редактировалось @}->->--, 03-02-2005 в 02:50 AM.
|